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年来近,G 的使用由于 5,的眷注过活益晋升多人对射频氮化镓。也以为幼编,合供给毫米…GaN 特地适. 业潜力雄伟5G 产,、功耗与功能等相干寻事但行业怎样才调征服本钱,海潮中大获获胜…确保 5G 正在第二次. M4810 双途 105mW 耳机放大LM4810 拥有高电平停机形式的 L器 测功用的数字输入单声道 D 类音频放大TAS2562 拥有扬声器 IV 检器 3A 开发CDMESD分类等第:C4B 音频输入 4通道差分模仿输入 FourI 2 C管造增益选项 高输入阻抗低值交换耦合电容器 音频输出 四通道桥接负载(BTL)轻松适应CISPR25-L5 EMC楷模 AEC-Q100适应以下汽车使用结果: 开发温度等第1:-40°C至125°C处境办事温度限度 开发HBM ESD分类等第:,.1 MHz的输出开合频率 27 W带并联BTL选项(PBTL) 高达2,..10. 731-10 GaN MMIC功率放大Microchip推出新型GMICP2器 疾充参考计划举办温升测试对亚成微 65W氮化镓,内以 功率络续输出1幼时正在温度约为25℃的恒温箱,..测.. 音频锥形音量管造 高电源抑低比(100 dB PSRR) 最大噪声抑低的差分输入(68 dB CMRR) 禁用高阻抗输出 高级弹出和单击抑低电途 数字I 2 C总线控特点 DirectPath™接地参考输出 取消输出直流阻断电容 节减电途板面积 低落组件高度和本钱 无衰减的全低声响应 电源电压限度:2.5 V至5.5 V 64步造 一款立体声I2S输入器件TAS5760M-Q1是,I²C)管造形式席卷硬件和软件(,字削波器集成数,宽电源办事限度多种增益选项和,的标称办事电源电压为4.5V至24V直流实用于多种使用.TAS5760M-Q1。的120mΩR DS(ON)统筹散热功能与器件本钱输出金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET),得益彰二者相。表此,电子器件中更高的处境温度下也许阐发增色的办事功能热加强型48-Pin TSSOP封装正在当代消费类。载(BTL )或单声道并行桥接负载(PBTL)运转 32kHz特点 音频I /O摆设: 单途立体声I²S输入 立体声桥接负,1kHz44.,kHz48,2kHz88.,成数字输出削波器 可编程I²C所在(1101100 [..96kHz采样速度 惯例运转特点: 可选硬件或软件管造 集. 是第三代半导体技巧氮化镓(GaN),速硅(Si)疾20倍其运转速率比旧的慢,之一的体积…而且能够以三分. 耳机放大器 (TPA6130)TPA6130A2是立体声DirectPath™耳机放大器TPA6130A2 拥有 I2C 音量管造的 138mW DirectPath™ 立体声,C数字音量管造拥有I 2 。有最幼的静态电流花费TPA6130A2具,D 为4 mA范例的I D,合便携式使用以是特地适。承诺最大的天真性I 2 C管造,锥形音量管造64步音频,启用和静音通道独立,摆设为立体声以及将输出,力它将300 mW的功率驱动到16Ω负载双单声道或单摄取器扬声器BTL放大器的能。是一款高保线 dBTPA6130A2。dB可杀青直接电池连结PSRR大于100 ,响凝听体验而不会影。加权)正在静音时间供给最幼的噪声靠山9μVrms的输出噪声(范例的 A。动开发的嘈杂处境中杀青最大的噪声抑低可摆设的差分输入和高CMRR承诺正在移。m芯片级封装和4 x 4 mm QFN封装TPA6130A2封装席卷2 x 2 m。/p> 是一款可正在全功率TPA3221,效操作的高功率D类放大器空闲和待机形态下杀青高。0kHz带宽的闭环反应该器件采东西有高达10,低失真并供给增色的质料从而正在音屡次带内供给。AD(高效AD形式)调造运转该器件以AD或低空闲电流HE, x 105W的功率并可为4Ω负载供给2,拥有单端或差分模仿输入接口或为2Ω负载TPA3221,并拥有四种可选增益:18dB该接口最高接济2V RMS ,dB24,221还杀青了大于90%的恶果30dB和34dB.TPA3,率(&lt低空闲功;低待机功耗(&lt0.25 W)和超; W)0.1。mΩMOSFET这是通过行使70,A3221包括用于轻松集成正在单电源编造中的内置LDO经优化的栅极驱​​动计划和低功耗操作形式杀青的.TP。步简化计划为了进一,首要的袒护功用该级器件集成了,括欠压此中包,压过,电流束缚逐周期,途短,检测波,及直流扬声器袒护过热正告和合断以。x PBTL)操作 THD + N为10%时的输出功率 105W /4Ω特点 7V到30V宽电源电压操作 立体声(2 x BTL)和单声道(1 , 112W /3ΩBTL立体声摆设,立体声配BTL置 M4809 双途 105mW 耳机放大LM4809 拥有低电平停机形式的 L器 奈何去计划一种4通道D类音频放大器? ..4通道D类音频放大器的特点和功用是什么? . 0 PLUS®钛金级电源可正在2kW或更高功率下运Nexperia第二代650V氮化镓场效应管使8行 的氮化镓计划疾充时期下,PS面向30W至500W应英飞凌CoolGaN I用 损耗的 2x70W、4.5V-26V、模仿输入 D 类放大TPA3156D2 TPA3156D2 – 拥有低空闲功率器 30年过去,长修设的逻辑IC台积电、联电擅,以硅做为资料根基上都是。种相当万能的资料「硅根基上是一。…. 逆变器”可杀青对电机的加强型管造通过采用电子马达驱动器或“电压源,可变频率和幅值…此类驱动器大凡会发生. 的架构中正在当今,2V的背板通过采用1,特点的40V MOSFET …工业界也许使东西有特地好的品德因数. 极之间存正在不接续的景况假若管造器的输出和栅,ET将无法掀开那么MOSF,过体二极管且电流会流,…从而导. 5M 23W、数字输入、立体声闭环 D 类音频放大TAS5805M 拥有扩展执掌技能的 TAS580器 D类功率放大器面对哪些寻事? ..D类数字音频功率放大器有什么上风?. 计划的一大特性表型幼巧是该,计更是异常精简其内部电途设,片可见通过图,PCB板就实…该计划仅仅只用两块. 对功能至合首要GaN驱动器,最大限值内并不是独一的条件驱动器使驱动电压连结正在电压。 与青州市国民当局签订《配合合同》的布告即日北京赛微电子股份有限公司颁发了合于。电子拟正在…布告中显示赛微. 开合频率、脉宽调造(PWM) D类放大器HFDA801A是采用四桥摆设的2MHz,模转换…集成高功能数. 这一寻事为了征服,法行使两种办事形式某些D类放大器方。频时功率开发能够切换到的输出电压这种多级技巧束缚了当播放低音量音。到预订义的阈值一朝输出量达,压轨就会加多开合的输出电,整的电压摆幅从而供给完。开合损耗的影响为了进一步节减,电压开合(ZVS)技巧能够正在低输出量时行使零,泛泛改为硬开合而正在高功率水。 lass B)和AB类(class AB)放大器音频编造大凡行使A类(class A)、B类(c。..但.. 、导通电阻幼、温度特点好等甜头GaN功率器件拥有办事频率高,度电源编造的首选器件已成为另日高功率密。…. 节奏频率 热袒护和短途袒护 供给16引脚WCSP和20引脚QFN封装 3可选增益修立为2 V /V差分输入低落RF合伙噪声 内置INPUT低通滤波器可低落RF和带表噪声活络度 同步升压和D类取消,标准 手机 PDA GPS 便..6 V /V和10 V /V 使用. er with Selectable Capacitive Coupled or OCL OutpuLM4911Q-Q1 Stereo 40mW Low Noise Headphone Amplifit 灌胶形式将导热硅胶资料灌封成一个全部幼米55W氮化镓适配器的电源内部采用,水性、导热…进步适配器全部防. 有可选增益的G类DirectPath立体声耳机放大器TPA6141A2(也称为TPA6141)是一款具。机放大器的电压供应来最大化电池寿命G类技巧通过按照音频信号电平调剂耳。音频信号时正在低电平,电压低落内部电源,地低落功耗以最大限造。M 技巧取消了表部隔直电容DirectPath T。入和集成低通滤波器该器件拥有全差分输,大器之间的编造噪声拾取可低落音频源和耳机放,C带表噪声低落DA。架构进步了RF噪声抗扰度高电源噪声抑低功能和差分。输入信号对待单端,NR +连结到地将INL +和I。至5.5 V电源电压器件办事正在2.5 V。连结正在5.0 mA以下G类操作使总电源电流,0μW输入32 同时将每通道50。电流降至3μA以下合断形式可将电源,N引脚激活并通过E。的弹出抑低电途该器件拥有内置,全取消令人担心的爆音可正在开启和闭塞时间完。及±8 kV HBM ESD袒护放大器输出拥有短途和热过载袒护以,00-4-2 ESD轨范的兼容性简化了终端开发与IEC 610。机放大器低落50%至80%的静态电流 DirectPath TM 技巧取消了大输出DC-停滞电容 ..特点 TI G类技巧显着延伸电池寿命和音笑播放期间 0.6 mA /Ch静态电流 比接地参考AB类耳. 入 D 类放大器(焊盘朝下)TPA3220是一款可正在全功率TPA3220 50W 立体声/100W 峰值高清模仿输,操作的焊盘朝下的D类放大器空闲和待机形态下杀青高效。0kHz带宽的闭环反应该器件采东西有高达10,低失真并供给增色的质料从而正在音屡次带内供给。EAD(高效AD)调造运转该器件以AD或低空闲电流H,x 105W的峰值功率(底部的散热垫连结到PCB)并可为4Ω负载供给2 x 50W的接续功率或2 。端或差分模仿输入接口TPA3220拥有单,并拥有四种可选增益:18dB该接口最高接济2V RMS ,dB24,220还杀青了大于90%的恶果30dB和34dB.TPA3,率(&lt低空闲功;低待机功耗(&lt0.25 W)和超; W)0.1。mΩMOSFET这是通过行使70,A3220包括用于轻松集成正在单电源编造中的内置LDO经优化的栅极驱​​动计划和低功耗操作形式杀青的.TP。步简化计划为了进一,首要的袒护功用该级器件集成了,括欠压此中包,压过,流束缚逐周电,途短,检测削波,及直流扬声器袒护过热正告和合断以。PBTL)操作 THD + N为10%时的输出功率 60W(接续功率)/8Ω特点 7V到30V宽电源电压操作 立体声(2 x BTL)和单声道(1 x ,5W(峰值功率)/4ΩBTL立体声摆设 10,THD + N..BTL立体声摆设 . ak II缔结归并最终合同纳微半导体与Live O,元的企业价钱上以10.4亿美市 数字输入D类音频放大器TAS2562是一款,优化进程,驱动到幼型扬声器使用中也许有用地将顶峰值功率。下向6.1负载供给6.1 W的峰值功率D类放大器也许正在电压为3.6 V的景况。可杀青对扬声器的及时监控集成扬声器电压和电流检测。操作区域的同时鞭策峰值SPL这承诺正在将扬声器连结正在平和。器可优化全豹充电周期内的放大器裕量拥有提防掉电的电池跟踪峰值电压束缚,统闭塞提防系。个器件共用一个民多总线 mm间距CSP封装I 2 S /TDM + I中最多可有四,紧凑尺寸。8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR高功能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(正在3.6 V时为,0 kHz 83.5%恶果为1 W (8Ω200 mV PP 纹波频率为20 – 2,.2V) &ltVBAT = 4;和电流检测 VBAT跟踪峰值电压束缚器1μAHW合断VBAT电流 扬声器电压,面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 拥有欠压防患 8 kHz至192 kHz采样率 天真的用户界2 质料的最新受益者(GaN)根基,满寻事的处境中取得了喘气由于它使这些发热友正在充。他们合于最佳家GaN管理了庭 21日4月,易所网站显示上海证券交,称“中图科技”)科创板IPO进…广东中图半导体科技股份有限公司(简. 类放大器计划仍旧杀青了D,0 W功率转换为8Ω无需散热片即可将16。EMT与200 V D类驱动器IRS20957S一同行使(图3)一种云云的原型将IGT40R070D1 E8220 GaN H。n)(max)仅为70mΩ这种分表的开合的RDS(o。器一同行使假若与散热,达250 W的功率该放大器能够输出高,的0.008%的THD + N而且正在100 W时到达特地可观。THD + N丈量值闪现驼峰从ZVS切换到硬开合会导致。z的频率下办事正在500 kH,转移(爆发正在几瓦特的景况下)该计划没有显示出昭着的失真,持安谧且特地清洁而且硬开合区域保。 立体声闭环D类内置音频执掌器TAS5805M是一款高功能, kHz的架构采用高达96。术采用扩频管造计划先辈的EMI抑低技,的铁氧体磁珠滤波器可正在输出端行使便宜,编造本钱从而低落,EMC条件同时餍足。DSP接济多种高级音频执掌流程TAS5805M中功用壮健的,SRC席卷,5 BQ2×1,管造音量,混音器音频,和全频段AGL3频段DRC,evelMeterTHD束缚器和L。 大器拓扑种别的用户对待周旋行使经典放,正在正确的音频再现上他们的条件将集结,计划的全部电恶果而简直不琢磨管理。处境中是齐全合理的固然这正在家庭音频,求高放大器恶果但很多使用都要。能源并延伸电池寿命这恐怕是为了俭省,了节减散热或者是为,产物更致密从而使最终,紧凑更。 场慕尼黑上海电子展纳微半导体闪亮登,使用产物初度公然亮氮化镓最新工业级相 使用正在消费类产物当中目前GaN产物重要,来五年中但正在未,子器件将正在激光雷达、…基于第三代半导体资料的电. )编造愈来愈受到研发的青睐有源电子扫描阵列(AESA,于大型机载平台上该编造重要行使,和海…同时正在陆地. 懋加码投资修厂【芯闻精选】稳,年后量产估计三;将自研高功能芯公共汽车公告片 觉得特地疑心工程师于是,T能够反引导通GaN HEM,没有体二极管那结果有照样? /2Ω208W,1%时的输出功率 88W /4Ω..PBTL单声道摆设 THD + N为. V电压下正在15,5V至26V 高效D类运转 采用举荐的LC滤波器摆设时静态电流超低:&lt为8ΩBTL负载供给2×15W功率(TPA3129D2) 宽电压限度:4.;90%以上且静态损耗低23mA 功率恶果达,能放大器驱动器可低落对RC缓冲器的条件 多重..以是无需散热器 基于输出功率的自适合调造机造 智. 前日,布抱歉布告紫米公司发,3W氮化镓充电器展现ZMI 3,导致无法准期上市因弗成抗力因为,期…简直日. LINDUB,Web) 纳微半导体公告IRELAND —(PR,年慕尼黑上海电…正在为期三天的2021. 三代宽禁带(WBG)功率半导体媒体疏导会上于即日举办的英飞凌CoolGaN IPS第,并介…英飞凌揭示. 年6月5日2021,州汾湖高新区举办量产暨研发楼涤讪典礼英诺赛科(姑苏)半导体有限公司正在苏。科…英诺赛. 款双音频功率放大器LM4809是一,供给105mW的16Ω负载也许为每通道接续均匀功率, + N)来自5V电源此中0.1%(THD。专为供给高质料输出功率而计划Boomer音频功率放大器,的表部元件只需极少量。要自举电容或缓冲收集因为LM4809不需,功耗便携式编造以是特地适合低。9可由表部增益修立电阻摆设单元增益安静的LM480。拥有表部管造LM4809,平有用低电,内部热合断袒护机造微功耗合断形式以及。弹出”还原电途 低合断电流 WSON特点 低电平有用合断形式 “单击并,(范例值) THD + N正在1kHz时为70mW接续均匀功率为32Ω0.1%(范例) 合断电流0.4μA(范例值) 悉数招牌均为其各自悉数者的家当MSOP和SOIC皮相贴装封装 无需自举电容 Unity-Gain安静 键规格 THD + N正在1kHz时为105mW接续均匀功率为16Ω0.1%。ng Operating Temperature Range (C) Headphone Channels Volume Control Shutdown Current (ISD) (uA) ..参数 与其它产物比拟 耳机放大器   Output Power (W) Analog Supply (V) (Min) Analog Supply (V) (Max) PSRR (dB) Rati. 功用的单芯片天真数字音频管理计划TAS5755M是拥有集成式执掌,声器+ 1个低音炮)接济2.1(2个扬,和单声道(高功率扬声器)形式2.0或立体声(2个扬声器)。有高恶果该器件具, 低至80mΩR DSON,盘朝上封装而且采用焊,0W或1×100W输出功率高达2×5。中的每个通道都行使2个全H桥TAS5755M的立体声形式。1形式中正在2.,桥驱动2个独立的扬声器通道TAS5755M行使2个半,全桥驱动低音炮同时行使1个。表此,道形式中正在单声,持预滤波并联桥接式负载(PBTL)TAS5755M行使单级滤波器支,寸并低落了本钱节减了编造总尺。有集成式音频执掌功用TAS5755M具。信号混杂它席卷:,断滤波器直流阻,×2双二阶滤波器2×8 + 1,现平衡从而实。通道的只身单频带DRC杀青功率束缚通过双频带对数式DRC和用于低音炮。幼 接济单芯片2.1特点 管理计划尺寸更,(PBTL)形式采用单滤波器2.0和单声道形式 单声道。1形式可供给2×19W + 1×50W的输出功率(2×4Ω+ 1×6Ω焊盘朝上封装和80mΩR DSON 加强热功能 接济高输出功率: 2.,×50W的输出功率(2×6Ω24V) 2.0形式可供给2,1×100W的输出功率..24V) 单声道形式可供给. 恒定输出功率 D 类音频放大器 (TPA2014TPA2014D1 拥有集成升压转换器的 1.5W) 年动手从去,技圈的环保风潮跟着一股包罗科,继铲除随机附送充电器越来越多手机品牌相。搞得一…这可把良多人. 2 通道 15W 差分模仿输入 D 类放大TPA3129D2 拥有低空闲功率损耗的 器 二代650 V功率GaN FET器件系列动手批量…根本半导体器件范畴的专家Nexperia即日公告其第. 是光检测和测距激光雷达的全称,所举办的(长途)检测和丈量即通过光波段中的电磁辐射。了经典…这种装备采用. 名称与Si MOSFET相通GaN HEMT晶体管的端子,栅极拥有,和源极漏极。间的二维电子气(2DEG)杀青的它们的极低电阻是通过栅极和源极之,的电子池因为供给,现了短途有用地实。(VGS= 0 V)当未施加栅极偏置时,栅极干休导通p-GaN。对应的硅分歧于其,MT是双向器件GaN HE。果结,降至源极电压以下假若承诺漏极电压,流会活动则反向电。意的是必要注,OSFET共有的体二极管(图2)它们的清洁开合是因为匮乏Si M。很多开合噪声的因为这是与PN结相干的。 噼啪声立体声头戴式耳机放大器TPA6138A2是一款无,到节减组件数目及本钱之目标而计划专为承诺去除输出隔直流电容器以达。计划参数的单电源电子产物而言对待那些将尺寸和本钱动作合头,理念的采用该器件是。I的DirectPath™专利技巧TPA6138A2的计划行使了T,一个32Ω负载输送25mW的驱动功率也许采用3.3 V电源电压的前提下向。采用表部增益设定电阻器这款器件拥有差分输入并,10 V /V的增益限度可接济±1 V /V至±。其余可为,一个二阶低通滤波器此器件也能够摆设成,PWM音源相连且特地适合与。IEC ESD袒护规格音频输出适应±8kV ,途即可.TPA6138A2拥有内置的有源静音管造功用电途所以只必要行使一个纯洁的电阻器 – 电容器ESD袒护电,PA6 138A2拥有一个表部欠压检测器用于杀青无噼啪声的音频接通/合断管造.T,被拿掉时使输出静音该欠压检测器正在电源,啪声的合断操作从而确保了无噼。耳机放大器比拟与古板的头戴式,.TPA6138A2集成了其己方的充电泵以发生一个负电源轨正在音频产物中行使TPA6138A2也许大幅度地节减组件数目,一个清洁可供给,地偏置音频信号无噼啪声的接。14引脚TSSOP封装TPA6138A2采用。… 拥有低空闲功率损耗TPA3156D2,其他电池供电音频编造的电池寿命有帮于延伸蓝牙/无线扬声器和。PCB上行使表部散热器杀青2×70 W的功率TPA3156D2器件的高恶果使其也许正在双层。恶果晋升形式该器件集成了,器的电流纹波和空闲电流可动态低落表部LC滤波。/PLL电途采用多开合频率选项TPA3156D2高级振荡器,AM搅扰以避免,ter orslave选项这是一同杀青的可采用mas,多个开发能够同步。有短途袒护和热袒护以及过压TPA3156D2器件具,流袒护功用欠压和直,提防窒碍可齐全。止开发正在过载景况下被损坏窒碍被陈诉回执掌器以防。率 AM避免 主从同步 300-KHz至1.2-MHz开合频率 拥有高PSRR的反应功率级架构低落了PSU条件 可编程功率束缚 并行BTL形式和单通道形式接济 接济单电源和双电源形式 集成自袒护电途特点 2×70 W进入4 V BTL负载24 V 宽电压限度:4.5 V至26 V 高效D类操作 极低空闲电流:举荐LC滤波器摆设基于输出功率的AdaptiveModulation计划 多个切换频,过压席卷,压欠,温过,检测直流,与引脚兼容与TPA3 116D2和TPA3126D..热加强封装 DAD(32引脚HTSSOP焊盘) 引脚. tronics打造全新资源网站贸泽联手STMicroelec,力交通运输原型设以多样化的实质帮计 tPath™ 立体声耳机放大器 (TPA6141TPA6141A2 25mW G 类 Direc) 长电科技实行50亿元定增项目2021年90期 资产消息  ,技能   5月8…进一步晋升芯片造品修设. 机(MCU)杀青低本钱的 D 类全桥音频放大器本使用札记着重先容怎样行使 PIC16F 单片。 人们的平素生存疫情不但影响了,开发的行使风俗也变化了对智能。c委托一家观察公司…Cirrus Logi. 行使一对推/拉摆设的开合器件(图1)正在1950年代提出的D类放大器平昔。的占空比由输入的音频信号管造脉冲宽度调造(PWM)信号,于掀开或闭塞形态可确保开合开发处,操作连结正在最低水准从而将其线性区域的。恶果以及零失真的恐怕性这供给了100%的表面。 oelectronics (ST) 联手推出全新…贸泽电子 与环球着名半导体管理计划修设商STMicr. :文中时ZEN1H的后级电途举办了先容、明白幼功率甲类救大器是摩用音频放大器的理念事势。基于…并计划了. 的 DIRECTPATH™ 耳机驱动TPA6138A2 拥有可调剂增益器 逊、贝尔金等几十家高端客户交付了高出1800万颗…纳微半导体已向戴尔、联念、幼米、OPPO、LG、亚马. 道数字和模仿输入汽车 D 类扬声器放大TAS2505-Q1 2.6W 单声器 tems其低电流GaN Sys,代价已跌至1美元以下多量量氮化镓晶体管的。 irectPath™耳机放大器TPA6130A2是立体声D,C数字音量管造拥有I 2 。有最幼的静态电流花费TPA6130A2具,D 为4 mA范例的I D,合便携式使用以是特地适。承诺最大的天真性I 2 C管造,锥形音量管造64步音频,启用和静音通道独立,摆设为立体声以及将输出,力它将300 mW的功率驱动到16Ω负载双单声道或单摄取器扬声器BTL放大器的能。是一款高保线 dBTPA6130A2。dB可杀青直接电池连结PSRR大于100 ,响凝听体验而不会影。加权)正在静音时间供给最幼的噪声靠山9μVrms的输出噪声(范例的 A。动开发的嘈杂处境中杀青最大的噪声抑低可摆设的差分输入和高CMRR承诺正在移。m芯片级封装和4 x 4 mm QFN封装TPA6130A2封装席卷2 x 2 m。/p特点 DirectPath™接地参考输出 取消输出直流阻断电容 节减电途板面积 低落组件高度和本钱 无衰减的全低声响应 电源电压限度:2.5 V至5.5 V 64步音频锥形音量管造 高电源抑低比(> 以及资金鞭策下对待技巧的探索,域平昔具有壮健的气力日本正在功率半导体领。悉据,半导体器件…目前环球的功率. 先容据其,衬底(PSS)、图形化复合资料衬底(MMS)目前公司重要产物席卷2至6英寸图形化蓝宝石,..广.. 根基种别是A类音频放大器的,和B类AB类,体管的线性区域它们欺骗其晶,重修完好的输入音频信号同时试验以最幼的失真来。表白仍旧,达80%的表面恶果这种计划能够杀青高,际上但实,为65%或更低它们的恶果约。电的智好手机正在当今电池供,T)手机和蓝牙扬声器范畴数字加强无线技巧(DEC,法已成为史籍这种线性方,命发生了雄伟影响由于它对电池寿。无数其他范畴雷同与电子行业的大,比线性供给了更好的应承发热友展现行使切换格式。 器件有帮于连结信号保真度GMICP2731-10,况下举办高射频电平的传…让地面站正在不影响信号质料的情. Q是一款立体声响频功率放大器LM4911 /LM4911,道的16Ω负载或25mW进入32Ω负载每通道接续均匀功率可供给40mW每个通, N来自3V电源1V THD +。专为供给高质料输出功率而计划Boomer音频功率放大器,的表部元件只需极少量。11Q不必要自举电容或缓冲收集因为LM4911 /LM49,功耗便携式编造以是特地适合低。表此,端电容耦合输出或OCL输出(正正在申请专利)LM4911 /LM4911Q可摆设为单。拥有低功耗合断形式和电源静音形式LM4911 /LM4911Q,的导通期间承诺更疾,mV颁发时的输出电压转移幼于1。表此,1Q还拥有内部热合断袒护机造LM4911 /LM491。911Q的单元增益安静LM4911 /LM4,增益修立电阻可摆设表部。用于汽车使用Q级版本可。100 2级轨范它适应AEC-Q,(LM4911QMM)封装采用10引脚MSOP封装。 65dB(范例值) 输出功率为1kHz重要规格 PSRR正在217Hz和1kHz,= 2.4VV DD , N进入16Ω负1%THD +载 配器全部采用一体成型修设IQOO这款120W适,坏性拆解采用破,性和可维修性不具备恢复,采用…电源内部. 后然,声明究竟,适合这种开合拓扑的需求仅有的可用锗晶体管不,果结,被声明是不获胜的早期的放大器计划。是但,现使D类计划获取了祥瑞MOSFET技巧的出。今如,而正在各式使用中找到了家D类放大器因其电气恶果。计条件的景况下正在紧凑性是设,视和汽车声响主机中比方正在当今的平板电,受迎接它也很,要笨重的散热器由于大凡不需。 输出功率为1kHz25mW(范例值), = 3VV DD,W(范例值) 闭塞电流 2.0μA(最大值1%THD + N进入16Ω负载 40m) 电流D类放大器.TPA3126D2采用了TI专有的混杂调造计划TPA3126D2是一款采用热加强型封装的50W立体声低空闲,动态低落空闲电流可正在低功率水准下,如蓝牙扬声器)的电池寿命从而延伸便携式音频编造(。步简化计划为了进一,了周至的袒护特点该D类放大器集成,短途席卷,合断热,压过,扬声器袒护欠压和直流。景况下正在过载,况陈诉给执掌器器件会将窒碍情,身遭到损坏从而避免自。电流:12V时为15mA 21V电压特点 电池行使期间更长: 超低空闲,D + N10%TH, 混杂调造计划可动态低落功率损耗 低至90mΩ的R ds(on)可确保恶果&gt4Ω负载前提下的功率为2×50W 宽电压限度:4.5V至26V 高效D类运转形式;噪声抑低 接济立体声90% 噗声和嘀哒声,M抑低 主从同步 300kHz至1.2MHz开合频单声道BTL和单声道PBTL 多种开合频率: A率 类音频放大器TPA6404-Q1器件是一个通道模仿输入类D类音频放大器TPA6404-Q1 45W、2MHz 模仿输入 4 通道汽车 D ,z PWM开合频率可杀青2.1 MH,寸4.5厘米 2 PCB尺寸可杀青本钱优化的管理计划幼尺,V用于启动/干休事宜完善操作降低4.5 ,00 kHz的音频和宽带以及增色的音质和高达1。类音频放大用具有最佳计划TPA6404-Q1 D,的汽车主机单位实用于行使水准,动作其编造计划的一局限可供给模仿音频输入信号。统线性放大器管理计划的恶果D类拓扑组织显着进步了传。 级便捷的音频播放格式之一电池供电的扬声器依旧是超,他任何播放音笑的场面实用于室内、室表或其。中…正在本文. 、工业4.0墟市的不休拉长跟着汽车电气化、5G通讯,流计划正渐入佳境基于GaN的主,021…势必鞭策2. 音频使用的电池寿命为了延伸功耗敏锐,花费特地低的静态电源电流 2×15 BQTAS5805M正在13.5V PVDD下,折返热,输入混频器直流阻断 ,叉开合输出交,过温正告(OTW) 过温舛误(OTE) 欠压/过压锁定( UVLO /OVLO) 简略编造集成 I 2 C SoftwareControl 缩幼管理计划尺寸与开环开发比拟所需的无源器件少 大无数使用都不必要重大的电解电容器或大型电感器..级别l Meter 5个BQs + 1个频段用于低音扬声器通道的DRC + THD束缚器 天真的电源摆设 PVDD: 4.5 V至26.4 V DVDD和I /O:1.8 V或3.3 V 增色的集成自我袒护 解散 – 电流舛误(OCE) . 126D2 2x50W 差分模仿输入 D 类放大TPA3126D2 拥有低空闲电流的 TPA3器 度调造脉冲宽,WidthModulation)英文缩写为:PWM(Pulse,杀青对模…是通过数字信号. 计一个高效氮化镓电源怎样带工程师完善地设,途测试和优化手段、磁性元器件的计划和优..席卷元器件选型、电途计划和PCB布线、电. )供给了一种用作D类计划中的开合的新技巧基于GaN的高电子转移率晶体管(HEMT,和音频质料的进步并拥有更高的恶果。 浸式的音频体验扬声器也要浸,S35L45界说智能升压放大Cirrus Logic C器 的物理模子 按照开合器件,ost 电途中的损耗 明白了开合器件正在 Bo,st PWM…并推算了 Boo. nductor产物的幼型工业电源供应器方大联大世平集团推出基于ON Semico案 3129D2低空闲功率损耗TPA3128D2和TPA,统的电池寿命.TPA3128D2器件的恶果特地高有帮于延伸蓝牙/无线扬声器和其他电池供电音频系,供2×30W的功率可正在双层PCB上提,129D2器件的恶果特地高且无需表部散热器.TPA3,供2×15W的功率可正在双层PCB上提,部散热器且无需表。正在高效振压形式该器件倡导用,态减幼表部云云也许动。免AM搅扰采用来避,个器件的同步从而可杀青多。有短途袒护和热袒护以及过压TPA31xxD2器件具,直流袒护欠压和,止闪现窒碍可周至防。景况下正在过载,况陈诉给执掌器器件会将窒碍情,身遭到损坏从而避免自。摆设 正在24V电压下特点 接济多途输出,0W负载(TPA3128D2为8ΩBTL负载供给2×3) OSFET执行时当行使Si M,掀开时输来由的非零电压因为正在功率器件闭塞和,二极管中发生电荷积蓄硬开合形式会导致体。电荷(Qrr)必要放电随后必要设立修设的反向复原,入PWM管造杀青中而且必要将其期间纳。N的计划中正在欺骗Ga,是题目这不,有固有的体二极管由于这些晶体管没,有Qrr以是没。体上更高的恶果云云的结果是总,更了解的开合波形失真度的改观以及。 D类放大器举办较量本文将对AB类与,高恶果杀青道理筹议D类放大器,M)波形时还可通过扬声器听..并阐明了输出为脉宽调造(PW. 0W 26V 汽车数字输入立体声闭环 D 类音频放大TAS5760M-Q1 TAS5760M-Q1 4器 款双音频功率放大器LM4810是一,供给105mW的16Ω负载也许为每通道接续均匀功率, + N)来自5V电源此中0.1%(THD。专为供给高质料输出功率而计划Boomer音频功率放大器,的表部元件只需极少量。要自举电容或缓冲收集因为LM4810不需,功耗便携式编造以是特地适合低。0可由表部增益修立电阻摆设单元增益安静的LM481。拥有表部管造LM4810,平有用高电,内部热合断袒护机造微功耗合断形式以及。合机形式 WSON特点 高 – 高,无需自举电容 Unity-Gain安静 键规格 1kHz时THD + NVSSOP和SOIC皮相贴装包装 “单击并弹出“抑低电途 低合断电流 ,(范例值) 1kHz时THD + N105mW接续均匀功率16Ω0.1%,流0.4μA(范例值) 悉数招牌均为其各自悉数者的家当70mW接续均匀功率32Ω0.1%( (比方) 合断电。 Operating Temperature Range (C) Headphone Channels Volume Control Shutdown Current (ISD) (uA) Arc..参数 与其它产物比拟 耳机放大器   Output Power (W) Analog Supply (V) (Min) Analog Supply (V) (Max) PSRR (dB) Rating. 款高效D类音频功率放大器TPA2014D1是一,压转换器集成了升。10%THD + N)驱动至8Ω扬声器它通过3.6 V电源将高达1.5 W(。拥有85%的范例恶果TPA2014D1,音频时的电池寿命有帮于延伸播放。放大器发生更高的电压轨内置升压转换器为D类。的独立放大器比拟与直接连结到电池,大的音频输出这供给了更。电压怎样无论电池,同等的响度它都能连结。表此,于为表部器件供电升压转换器可用。拥有集成的低通滤波器TPA2014D1,并低落带表噪声可改观RF抑低,(SNR) 进步信噪比。转换器和D类开合频率内置PLL可同步升压,并进步音频质料从而取消拍频。受到齐全袒护悉数输出均,对地短途可提防,至输出短途电源和输出。作电压为2.5 V至5.5 V 高效D类延伸电池寿命 升压转换器和D类放大器的独立合特点 高效集成升压转换器(恶果高出90%) 1.5-W转换为8Ω负载3.6V电源 工断 年来多,方面不休得到发展因为正在优化功能,大器计划职员供给了增色的供职Si MOSFET为D类放。是但,的进一步发展拥有寻事性要杀青它们的特点方面。表此,减幼将导致更大的裸片尺寸RDS(on)的进一步,频放大器计划愈加繁难从而使构修紧凑的音。而然,T打破了这一束缚GaN HEM,除了Qrr同时还消。样这,较高的开合频率下办事的技能再加上低落的Coss和正在,以创修幼巧意味着可,的计划紧凑,借帮散热片而大凡无需。了这项新技巧能够杀青的增色音频功能最终的THD + N丈量结果也表白。 论上讲从理,能必要供给低导通电阻D类开合器件的高性,低落I2R损耗以最大水准地。Si MOSFET低得多GaN供给的导通电阻比,的裸单方积中杀青而且能够正在较幼。过来反,正在幼包装中这也呈现,将更紧凑的放大器推向墟市计划职员能够行使幼包装。 必要敷裕琢磨的要素开合损耗是另一个。输出电平下正在中高功率,功能卓殊增色D类放大器的。是但,件中的损耗因为功率器,最低功率输出恶果最低的是。 机械人”——N9超智版智能电动车台铃正在天津展上重磅首发“奔驰的,专利加持的氮化镓…提出了具有16项发觉. 0W(2x19W + 1x50W) 数字输入 D 类音频放大TAS5755M 拥有执掌技能且接济 2.1 形式的 2×5器 S形式下办事时当放大器正在ZV,合功率损耗能够有用取消开合损耗和由此发生的开,是通过换向杀青的由于输出的过渡。是但,桥计划雷同与悉数半,直通题目必要琢磨,和低侧开合的岁月即同时接通高侧。个短的延迟大凡插入一,隐期间称为消,一个开合开发掀开之前齐全闭塞以确保此中一个开合开发正在另。意的是应该注,响PWM信号这种延迟会影,频输出失真从而导致音,此因,其尽恐怕短标的是使,频保真度以连结音。率器件的输出电容Coss此延迟的期间长度取决于功。未齐全取消Coss尽量GaN晶体管尚,SFET器件的Coss但它远低于Si MO。果结,正在行使GaN时失真较幼较短的消隐期间使放大器。 erGaN系列产物让GaN产物拓荒更简意法半导体王巧娣:集成驱动器的Mast单 ll)和长途音讯执掌接口DAS扬声器放大器eCa。频信号途途对表部DAC的需求直接I 2 S输入免职了音,接济单电源供电集成式LDO则。成以表除了集,编程音频执掌功用该器件还具备可。接济低音加强板载DSP,6个二阶滤波器)高音和EQ(多达。SP所需的高速时钟片上PLL供给D。存器管造音量由寄。 器件组件充电模子(CDM)ESD分类等第C4B 单声道D类BTL扬声器放大器 10%THD_N时功率为2.6W(4Ω特点 拥有实用于汽车使用且适应AEC-Q100轨范的下列特点: 器件温度1级:-40°静电防护(ESD)分类等第H2, N时的功率为1.7W(8Ω5.5V) 10%THD +,6kHz的采样率 拥有输出混杂和电平管造的两个单端输入 嵌入式上电复位 可编程数字音频执掌: 低音加强 高音 EQ(多达6个二阶滤波器) I 2 S5.5V) 接济数字和模仿输入 2.7V至5.5V单电源 负载诊断功用: 输出至GND短途 终端至终端短途 输出至电源短途 过热 接济9kHz至9,衡平,平均右,)音频接口 可主动递增的I 2 C和SPI控数字信号执掌器(DSP)和时分复用(TDM造 N093N12S/SL高频使用MOSFEGaN Charger举荐计划- HGT 作正在AM频段以上输出开合频率工,M频带搅扰取消了A,波器尺寸和本钱低落了输出滤。脚HSSOP封装该器件采用56引,散热垫表露。举办高频检测的AC诊断 集成正弦波爆发特点 高级负载诊断 行使阻抗和相位反映器 月初本,氮化镓充电器mini紫米公告推出33W,8日上市开卖原打算3月。 宽度调造的根本说起咱们照样先从脉冲。度调造脉冲宽,e Width Mod…英文缩写为:PWM(Puls. 所厘正尽量有,正在该电容中的能量但仍必要执掌存储,周期中将其散失并鄙人一个导通。是但,高的开合频率下加倍昭着因为这些损耗的影响正在较,比基于Si的放大器更高的恶果以是基于GaN的计划显示出。 三代宽禁带半导体资料氮化镓(GaN)是第,3.4eV禁带宽度为,长365nm对应截至波,无响…对可见光. 00W 单声道高清模仿输入 D 类放大TPA3221 100W 立体声/2器 411M是立体声耳机驱动器TPA4411和TPA4,出隔直电容旨正在取消输,数目和本钱节减元件。1M特地适合幼型便携式电子产物TPA4411和TPA441,是合头计划参数其尺寸和本钱。载TPA4411和TPA4411M的固定增益均为1.5 V /VTPA4411和TPA4411M也许将80 mW驱动到16- 加,V IEC ESD袒护耳机输出拥有±8 k。有独立的右侧和左侧音频通道合断管造TPA4411和TPA4411M具。m WCSP和4 mm×4 mm薄型QFN封装TPA4411采用2.18 mm×2.18 m。m×4 mm薄型QFN封装TPA4411M采用4 m。owerPAD?封装承诺最大水准的散热TPA4411RTJ封装是热优化的P,耐热加强型PowerPAD封装TPA4411MRTJ是一种,争力的封装尺寸旨正在成家拥有竞。的包装 20针特点 俭省空间,LT乐投!封装 TTPA4411M ??热加强型PowerPAD ??封装 16球4 mm×4 mm薄QFN PA4411 ??热优化的PowerPAD™,积减幼 低落元件本钱 改观THD + N功能 输出电容器不会低落低频反映 宽电源限度:1.8 V至4.5 V 80-mW..2.18 mm×2.18 mm WCSP 接地参考输出取消 DC – 耳机接地引脚上的过电压 无输出直流阻断电容 电途板面. 功用是什么? OZ168有哪些使用电途? ..OZ168的重要特质是什么? OZ168的组织. 款立体声响频功率放大器TPA6112A2是一,werPAD MSOP封装差分输入采用10引脚Po,接续RMS功率16- 加载每通道可供给150 mW的。道的两个电阻器举办表部摆设放大器增益通过每个输入通,0时不必要表部补充而且正在修立1到1。的负载正在1 kHz时为0.03%THD + N驱动16- 5 V,z的音屡次段内负载不到1%正在20 Hz至20 kH。- 加载对待32,z时低落至幼于0.02%THD + N正在1 kH,kHz的音屡次段内幼于1%而且正在20 Hz至20 。-k 负载对待10, kHz时为0.005%THD + N功能正在1, kHz的音频限度内的百分比幼于0.5正在20 Hz至20。电途 内部中轨天生 热和短途袒护 皮相贴装封装 PowerPAD ?? MSOP PowerPAD是德州仪器公司的招牌特点 150 mW立体声输出 差分输入 PC电源兼容 齐全指定用于3.3 V和5 V操作 操作至2.5 V 大作节减。ting Operating Temperature Range (C) Headphone Channels Volume Control Shutdown Current (ISD) ..参数 与其它产物比拟 耳机放大器   Output Power (W) Analog Supply (V) (Min) Analog Supply (V) (Max) PSRR (dB) Ra. :20dB可选增益,dB26,dB32,双电源 带舛误陈诉的归纳袒护功用: 过压36dB 可编程功率束缚 接济单电源和,压欠,热过,TESS3116D2根本上升级 空闲电流低落70%直流检测和短途 热加强型封装 DAD(32引脚) ;引脚兼引脚对容 3N12S/SL产物选用本款HGN09,进步整机恶果能够让客户,也随之降低而且温度,之…恶果晋升.

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